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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術介紹[ 09-01 16:56 ]
- 目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統(tǒng)Si器件的封裝方式。傳統(tǒng)封裝技術成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但傳統(tǒng)封裝結構導致其雜散電感參數(shù)較大，在碳化硅器件快速開關過程中造成嚴重電壓過沖，也導致?lián)p耗增加及電磁干擾等問題。 而雜散電感的大小與開關換流回路的面積相關。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關鍵影響因素。消除金屬鍵合線可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封裝結構分別進行介紹。 ①單管翻轉貼片封裝 阿肯
- 什么是SiCf/SiC復合材料[ 08-30 16:24 ]
- SiCf/SiC陶瓷基復合材料是指在SiC陶瓷基體中引入SiC纖維作為增強材料，形成以引入的SiC增強纖維為分散相，以SiC陶瓷基體為連續(xù)相的復合材料。SiCf/SiC陶瓷基復合材料保留了SiC陶瓷耐高溫、高強度、抗氧化、耐腐蝕、耐沖擊的優(yōu)點，同時兼具SiC纖維增強增韌作用，克服了SiC陶瓷斷裂韌性低和抗外部沖擊載荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC復合材料作為一種綜合性能優(yōu)異的高溫熱結構材料，在航空、航天、核能、汽車等領域具有廣泛的應用前景，成為目前各個西方國家的研究熱點。
- C/SiC陶瓷基復合材料應用[ 08-29 17:21 ]
- 碳纖維不僅具有密度低、比強度高、耐磨、耐腐蝕、導電、導熱、摩擦系數(shù)低等特性，而且還具備十分優(yōu)異的高溫力學性能，其在惰性氣氛、2000℃以上環(huán)境中，力學性能仍然不下降。但其高溫抗氧化性較差，因此通常與金屬、陶瓷、樹脂等復合，制備應用于航空航天、軍事工業(yè)等尖端技術領域的先進復合材料。 在熱結構陶瓷基復合材料領域中，碳化硅以其優(yōu)異的高溫力學性能（強度、抗氧化性、抗蠕變性等）、低的熱膨脹系數(shù)和摩擦系數(shù)、優(yōu)良的導熱和導電性，成為基體材料的主要候選之一。然而SiC陶瓷的缺點是脆性較大。 C/SiC陶瓷基復合材料通過
- 牛津儀器推出新型SiC外延襯底化學機械拋光（CMP）解決方案[ 08-27 16:47 ]
- 據(jù)粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學機械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定。 CMP多年來一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當前滿足SiC需求增長十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠的CMP流程會對環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光
- 晶盛機電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 08-26 17:05 ]
- 8月12日消息，經(jīng)過晶體實驗室研發(fā)團隊半年多的技術攻關，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標志著晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代，同時這也是晶盛在寬禁帶半導體領域取得的又一標志性成果。 據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。 在技術上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長過程中多個難點問題，比如溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等等。 此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛
